株式会社クレステック
電子線描画装置の専業メーカー
電子線描画装置の専業メーカー
電子ビーム加速電圧や加速方式に改良を加え、レジスト内でのビーム 広がりを抑制して厚膜レジストへの微細パターン描画を可能とした。さらに、微小放電がほとんど発生しない構造の電子銃を新たに開発して長時間安定稼働を実現し、商品化に成功した。各国の大学等での研究開発に加えて、 近年では通信用半導体レーザーの製造に導入されている。
【本技術の特徴】
1 世界最高クラスの加速電圧 130 kV
2 最小電子ビーム径 1.6 nm
3 最小描画線幅 7 nm 以下
4 磁場シールド、温調器を備えているのでシールドルームが不要 5 長時間安定して連続描画が可能
【本技術の応用事例・想定用途】
■ Sub-10 nm の微細パターンの描画
主に研究開発において9nmのL&Sやナノギャップ等のパターン描画が可能。
■ HEMT 向け T ゲートパターン描画
厚膜レジストでは、高加速電圧の効果が顕著に現れる。３層レジストの上中下パターンを同時に描画する一括描画法を用いると、最下層に微細ゲートパターンを形成できるとともに、プロセス全体のスループットの短縮も可能。
■ DFB-LD(分布帰還型半導体レーザー)用異周期回折格子パターン描画
波長多重通信用多波長DFB-LD群用の異周期回折格子を1枚のウェハ上に一括形成できる。0.001 nm の位置決め分解能を持つ「フィールドサイズ変調機能」により、自在に周期制御が出来るため精密に波長制御されたDFB-LD群を一括生産することができる。
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